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快恢复二极管芯片PN结构终止区用采用玻璃钝化技术，其热膨胀系数与硅的热膨胀系数相匹配。所有的硅芯片越来越多的使用保护环平面技术和沟道阻断来降低芯片的表面电场。
相对于普通二极管，快恢复二极管具有以下优点
(1)反向恢复时间更短:快恢复二极管的反向恢复时间小可达几十纳秒,而普通二极管则需要数微秒的时间才能反向恢复。这使得快恢复二极管适用于高频、高速和精密电路中。
(2)适用于高速开关电路:快恢复二极管的快速反向恢复时间和低电容使得它可以承受高速、高频的开关操作而普通二极管则不能满足这些要求。
(3)减小波动峰值电压:快恢复二极管在反向恢复时波动峰值电压比较稳定，不容易产生高频振荡，而普通二极管在反向恢复时波动峰值电压明显下降，容易产生高频振荡。
(4)提高整流效率:快恢复二极管的反向恢复时间短，可降低电源电路中的开关损耗和尖锐的电流冲击，从而提高整流效率。
随着电子技术的不断发展，人们对快恢复二极管的要求也越来越高。未来，快恢复二极管将具有以下发展趋势(1)提高电流密度:提高快恢复二极管的电流密度，以适应更高功率的电源和开关应用。(2)降低反向漏电流:降低快恢复二极管的反向漏电流，提高其可靠性和稳定性。
(3)继续提高开关速度:提高快恢复二极管的反向恢复时间和开关速度，以适应更高频率的开关应用。
(4)提高耐辐照性能:提高快恢复二极管的耐辐照性能，以适应更严苛的环境要求。
