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NCV8405ASTT1G,功率电子开关ON/安森美进口原装

更新时间:2024-06-26 07:09:05 编号:4337998pgc887b
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  • ON/安森美电源MOSFET全系列

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周玉军

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ON/安森美电源MOSFET全系列
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NCV8405ASTT1G,功率电子开关ON/安森美进口原装

FSUSB42MUX
FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关 (DPDT) 开关,针对在两个高速 (480Mbps) 源或高速和全速 (12Mbps) 源之间切换进行了优化。该FSUSB42兼容 USB2.0 的要求,并具有极低的导通电容 (C上)为5.5pF。该器件的宽带宽(720MHz)超过了通过三次谐波所需的带宽,从而使信号具有小的边沿和相位失真。出色的通道间串扰也大限度地减少了干扰。该FSUSB42在开关 I/O 引脚上包含特殊电路,用于 V抄送电源断电(V抄送=0),允许器件承受过压条件。该器件旨在将电流消耗降至低,即使施加到 SEL 引脚的控制电压低于电源电压 (V抄送).此功能对于超便携应用(如手机)特别有价值,允许与基带处理器的通用 I/O 直接连接。其他应用包括便携式手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本电脑中的开关和连接器共享。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCV5500DT50RKG
NCV78L12ABDR2G
NCV8664CST50T3G
NGTB40N135IHRWG
NCV78763MW4AR2G
NCV78723MW2R2G
NCV78702MW0AR2G
ON/安森美全系只做原装,我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询!

NCP4318BLCDR2G:
NCP4318是一种混合模式,它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息,用于LLC谐振转换器的同步整流(SR)控制器,只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压,以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流,并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外,为了提高轻载效率,VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCP4318BLCDR2G
NCV3843BVD1R2G
NCP81610AMNTXG
NCV4275CDT33RKG
MBRB30H60CTT4G
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FSA2567UMX简述:
模拟开关(DPDT、SPDT、SPST 和其他配置),用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、,针对双SIM卡的双掷(4PDT)模拟开关多路复用。它经过优化,可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号,并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容(CON),以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压(VCC)。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序,如手机;允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NRVB130T1G
NVATS5A108PLZT4G
NVMYS3D3N06CLTWG
NVMFS5C404NLAFT1G
NVMFS5C410NLAFT1G
NVMFS5C604NLWFT1G
NVMFS5C468NLAFT1G
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NCP1380DDR2G简述:
NCP1380是一款器件,旨在为准谐振转换器供电。该控制器利用专有的谷值锁定系统,随着功率负载变轻而换档并降低开关频率。尽管开关事件总是在漏源谷触发,但仍能实现稳定运行。该系统工作到第 4 谷,并切换到变频模式,确保出色的待机功率性能。为了提高过载情况下的安全性,该控制器包括一个过功率保护 (OPP) 电路,该电路将输送的功率箝位在高压线路上。在安全方面,固定的内部定时器依靠反馈电压来检测故障。定时器结束后,控制器停止并保持选项 A 和 C 的锁定状态,或进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。 该控制器特别适用于适配器应用,其引脚可实现组合过压/过热保护(A 和 B 型)或组合掉压/过压保护(C 和 D 型)。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NL27WZ04DFT1G
NL27WZ14DFT2G
MC74ACT05DR2G
MC74LCX08DR2G
MC74VHC00DR2G
FMS6141S5X
SURS8160T3G
MMSZ4679T1G
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NCV8450ASTT3G简述:
该NCV8450是一款完全受保护的高侧智能分立器件,典型 RDSOn 为 1 Ω,内部电流限制为 0.8 A(典型值)。该器件可以切换各种电阻、电感和容性负载。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCV8450ASTT3G
NCP81080MNTBG
NCV8402ASTT1G
NC7S08M5X
MM74HCT08M
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ON/安森美全系列产品优势供货,提供产品有:
无线连接
低功耗蓝牙
分立器件和功率模块
MOSFET系列
电源模块
碳化硅(SiC)
所有其他
电源管理
信号调理与控制
传感器
电机控制
定制和特殊替代产品供应商
接口
时序、逻辑和存储器
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
RHRG30120快恢复管
RHRP3060快恢复管
LV8731V-TLM-H电机驱动芯片
MBRS140T3G肖特基二极管
MC33035DWR2G电机驱动芯片
LC709204FXE-01TBG电池管理
FQP4N90C场效应管(MOSFET)
LM2596DSADJR4G,DC-DC电源芯片
HCPL2631SD光耦
SG3525ADWR2G,PWM控制器
LV8729V-TLM-H电机驱动芯片
RHRG75120超快恢复管
MC7805CDTRKG线性稳压器(LDO)
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